激光参数测量设备是用于测量激光各种特性参数的仪器，以下是一些常见的类型：
光束质量测量设备 ：光束质量分析仪 ：可测量激光束的光斑尺寸、发散角、M² 因子等参数。通过对这些参数的测量，能评估光束的传输和聚焦特性，确保其符合设计要求，常用于激光器出厂检验、光学系统优化等场景。光斑分析仪 ：主要用于精确测量激光光斑的二维强度分布，根据工作原理可分为刀口式和 CCD/CMOS 成像式。刀口式通过在光束截面上扫描并截取光强数据来合成光斑轮廓；CCD/CMOS 成像式则采用面阵传感器直接成像，能实时捕获整个光束截面的强度分布，并以 2D/3D 图像的形式直观显示。功率与能量测量设备 ：光功率计 ：用于测量激光器的输出功率，可评估功率稳定性，如平均功率、峰值功率波动等。其具有高精度与宽量程的特点，支持微瓦至瓦级功率测量，广泛应用于激光器长期运行稳定性测试、功率调节模块校准等场景。激光能量计 ：主要用于测量脉冲激光器的单脉冲能量，评估能量稳定性，适用于高能量皮秒激光器研发等场景，如工业加工、医疗美容领域。波长与光谱测量设备 ：光谱分析仪 ：可测量激光器的输出波长、光谱宽度及模式分布，确保波长稳定性符合应用需求，常用于波长可调谐激光器研发、多波长激光系统校准等场景。多波长计 ：能同时测量输入信号的波长和功率，可区分多达 1000 个离散波长，具有高精度的特点，适用于复杂光信号分析。脉宽测量设备 ：皮秒强度自相关仪 ：是直接测量皮秒级超短脉冲激光脉宽的核心设备，测量范围一般在 0.2-160ps，通过非共线逐点扫描强度自相关信号来间接计算脉宽，常用于激光器研发阶段、生产控制环节及工业加工中的脉宽校准。高速示波器 + 高速光电探测器 ：可作为自相关仪的补充，用于直接观察激光脉冲信号的时间域参数，适用于 100ps 以上脉宽测量。其原理是光电探测器将光信号转换为电信号，再由示波器显示脉冲波形，通过时间轴刻度计算脉宽。光学元件面形检测设备 ：干涉仪可利用光的干涉现象测量激光器内部光学元件，如反射镜、透镜的面形精度，即 PV 值、RMS 值，确保元件表面平整度满足设计要求，常用于高精度光学系统装配前质检。Sort by Position Name: A to Z Name: Z to A Price: Low to High Price: High to Low Created on
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The Wafer Profiler CVP21 is a handy tool to measure doping profiles in semiconductor layers by Electrochemical Capacitance Voltage Profiling (ECV-Profiling, CV-Profiling) in semiconductor research or production. This ECV Profiler (CV-Profiler, C-V-Profiler) furthermore is a very good choice to analyze or develop strategies for Photo-Electrochemical Wet Etching (PEC-Etching) of semiconductors
特性 根据IEC 62804-TS标准方法 易于使用的台式设备 能够测量c-Si太阳能电池和微型模块 无需气候室 不需要电池层压 测量速度：小时到天 可测量参数：分流电阻、功率损耗、电导率、泄漏电流、湿度和温度 太阳能电池可以通过EL等进行研究 基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持
LIS-R3 光伏实验室的“高级标配” LIS-R3是一台全新升级的高级实验室设备，适用于硅块、硅棒、硅片、太阳能电池和小组件。根据多年发展以及不断改进，很多领先的研究机构以及硅片、电池、组件生产商正在使用该设备。主要应用包括工艺改进、实验室研发、工艺调试和根源问题分析、质量保证与质量控制，及安装过程和设备终验收过程的提速。LIS-R3 应用了BT imaging专利的光致发光技术和Rs成像、电致发光成像、偏压PL成像、QSS-PC注入水平决定的少子寿命曲线、校准少子寿命成像、深度的图像处理算法自动得出的硅片和硅碇缺陷参数、Suns-Voc曲线、暗场及光场IV测试，加上LIS-R系列软件更新包的一系列新的分析方法。 LIS-R2-Plus 光伏实验室和质量控制方面的全能型研发设备 LIS-R2-Plus得益于BT Imaging的大量开发工作，降低了原有LIS-R2实验室设备的成本。现在我们通过降低新的LIS-R2设备售价的方式，将福利回馈给客户。全新的LIS-R2-Plus是领先的综合性PL实验室测量设备，可测硅块、硅片和电池。它也适用于电池生产线中的抽样检查，帮助实现快速的每条工艺产线上的反馈和调试。由BT Imaging大量专利支持。 iLS-W3 产线硅片检测 iLS-W3是拥有全新设计的软硬件的终极硅片电学质量检测模块，是用于硅片和电池产线的检测系统。该设备融合了BT Imaging的专利PL成像技术，测片速度高达5400片每小时。有众多光致发光专利和市场领先的算法的在线PL检测机台。典型使用案例包括硅片拒收、通过电池效率预测进行硅片质量分选、硅片和电池R&D，及产线工艺改进以及调试。 iLS-C3 产线电池缺陷检测 iLS-C3是针对产线电池最新推出的连续性PL成像检测模块，是比EL成像检测更快且不接触检测样品的方式。利用自动成像算法，iLS-C3可以在生产过程中找到一片电池的所有缺陷并选择拒收。该模块的配置可以针对过程片PL检测。 LIS-B3 产线硅块与晶棒检测 LIS-B3是BT Imaging的最新硅块和晶棒产线的检测设备，通过报告此类样品的体寿命来确保后续生产的硅片可作为高效电池的材料。该设备质量控制和工艺改进的帮手。LIS-B3的设计是与领先的硅块和硅碇生产商缜密磋商的结果。硅块和硅碇由人工或者机械装载。测量速率能够满足100%产品检测。 它可以轻松适配多数电池设计和分选设备
FPM快速光电流扫描显微系统适用于有机,钙钛矿材料， 可轻松进行光电流与晶粒分布测量。
