BCT-400 少子寿命测试仪Sinton BCT-400 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。Manufacturer: sinton instruments SKU: BCT-400Call for pricingQty: Add to cart Custom wishlist OKAdd to wishlistAdd to compare listEmail a friendBCT-400 少子寿命测试仪产品概述 Sinton BCT-400 少子寿命测量仪是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。BCT-400 设备将为光伏客户生产高质量太阳能级 单晶硅片提供有力的质量保证手段。产品简述:1.用途(高频光电导),用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。2.设备组成1).BCT-400主机,信号接线盒及信号线2).含带通滤光片的探头闪光灯3).安装配置有如下软件的计算机系统: Windows updates4).Sinton 数据采集及分析软件包5).12Bit 数据采集卡客户见证:Product tags BCT-400 (1), 少子寿命测试仪 (6)Related products MDPpro 850+硅锭、硅砖少子寿命测试仪用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms(样品电阻率>0.3Ohmcm)SEMI标准PV9-1110Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist MDPspot 单点少子寿命测试仪低成本桌面单点测量硅片或晶砖,用于在不同制备阶段表征各种不同的硅样品,无需内置自动化。可选手动操作的z轴厚度高达156毫米的硅砖样品,高达156毫米硅砖,结果可视化的标准软件。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120 WCT仪器展示Sinton独特的测量和分析技术,包括半标准准稳态光电导系数(QSSPC)测量方法,该方法由Sinton公司在1994年研发。 载流子合复寿命经过准确校准的测量方式,广泛应用于太阳能单晶和多晶硅片。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist BCT-400 少子寿命测试仪Sinton BCT-400 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist Sinton BLS-1 少子寿命测量仪Sinton BLS-1 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist
MDPpro 850+硅锭、硅砖少子寿命测试仪用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms(样品电阻率>0.3Ohmcm)SEMI标准PV9-1110Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist
MDPspot 单点少子寿命测试仪低成本桌面单点测量硅片或晶砖,用于在不同制备阶段表征各种不同的硅样品,无需内置自动化。可选手动操作的z轴厚度高达156毫米的硅砖样品,高达156毫米硅砖,结果可视化的标准软件。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist
Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120 WCT仪器展示Sinton独特的测量和分析技术,包括半标准准稳态光电导系数(QSSPC)测量方法,该方法由Sinton公司在1994年研发。 载流子合复寿命经过准确校准的测量方式,广泛应用于太阳能单晶和多晶硅片。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist
BCT-400 少子寿命测试仪Sinton BCT-400 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist
Sinton BLS-1 少子寿命测量仪Sinton BLS-1 少子寿命测量仪 是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。Call for pricingAdd to cart Add to compare list Custom wishlist OKAdd to wishlist